FDB150N10和IPB16CN10NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB150N10 IPB16CN10NG

描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V , 57A , 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 D2PAK

安装方式 Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 100 W

漏源极电压(Vds) 100 V -

连续漏极电流(Ids) 57A -

上升时间 164 ns -

输入电容(Ciss) 4760pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 110 W -

下降时间 83 ns -

耗散功率(Max) 110W (Tc) -

封装 TO-263-3 D2PAK

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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