对比图
型号 IRF3515SPBF STB75NF20 STB35NF10T4
描述 Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3Pin(2+Tab) D2PAKN 通道 STripFET™，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 150 V - 100 V
额定电流 41.0 A - 40.0 A
额定功率 200 W - -
漏源极电阻 45 mΩ 0.028 Ω 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 190 W 115 W
产品系列 IRF3515S - -
阈值电压 4.5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 150 V 200 V 100 V
漏源击穿电压 150 V 200 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 41.0 A 47.0 A, 75.0 A 40.0 A
上升时间 120 ns 33 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
输入电容(Ciss) - 3260pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 190 W 115 W
下降时间 - 29 ns 15 ns
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 115W (Tc)
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -