MMUN2211LT1和MMUN2211LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2211LT1 MMUN2211LT1G MMUN2211LT3G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT3G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定功率 - 246 mW -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 - NPN NPN

耗散功率 246 mW 246 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 35 35 -

额定功率(Max) 246 mW 246 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW

电源电压 - 1.8 V -

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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