对比图
型号 IRFS9N60ATRRPBF STB10NK60ZT4 STB9NK60ZT4
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB10NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 10.0 A 7.00 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 750 mΩ 0.65 Ω 0.85 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 115 W 125 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.20 A 4.50 A 7.00 A
上升时间 25 ns 20 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 115 W 125 W
下降时间 22 ns 30 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 115000 mW 125W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 2000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99