对比图
型号 MMBT918 MPS3563RLRA MPSH10RLRPG
描述 t-Npn Si- Vhf放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconVHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-92-3 TO-92-3
频率 - - 650 MHz
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 4.00 mA
极性 - - NPN
耗散功率 - 350 mW 350 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 25 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 60 @4mA, 10V
额定功率(Max) - - 350 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 350 mW 350000 mW
增益频宽积 - 1.5 GHz -
长度 - 5.2 mm 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
高度 - 5.33 mm 5.33 mm
封装 - TO-92-3 TO-92-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99