对比图
型号 BSP170PL6327 BSP613P NDT2955
描述 60V,-1.9A,P沟道功率MOSFETInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT2955 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 TO-261 SOT-223-4 TO-261-4
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -1.90 A -2.90 A -2.50 A
极性 P-Channel P-CH P-Channel
输入电容 410 pF 875 pF -
栅电荷 16.0 nC 33.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.90 A 2.90 A 2.50 A
输入电容(Ciss) 410pF @25V(Vds) 875pF @25V(Vds) 601pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 1.8 W - 1.1 W
额定功率 - - 3 W
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 0.095 Ω
耗散功率 - 1.8W (Ta) 3 W
阈值电压 - - 2.6 V
漏源击穿电压 - - -60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - - 10 ns
下降时间 - - 6 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.8W (Ta) 3W (Ta)
封装 TO-261 SOT-223-4 TO-261-4
长度 - 40 mm 6.5 mm
宽度 - 40 mm 3.56 mm
高度 - 1.5 mm 1.6 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR