对比图
型号 IRF644PBF IRF644B_FP001 STP17NF25
描述 功率MOSFET Power MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF644B_FP001 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 14ASTMICROELECTRONICS STP17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.28 Ω 280 mΩ 140 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 139 W 90 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 - - 1000 pF
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 8.50 A
上升时间 24 ns - 17.2 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 139 W 90 W
下降时间 49 ns - 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 139W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 14.0 A - -
额定功率 125 W - -
漏源击穿电压 250 V -30.0 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 10.41 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 9.01 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Rail Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -