FDC637BNZ和NTUD3170NZT5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC637BNZ NTUD3170NZT5G SI3460BDV-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637BNZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mVON SEMICONDUCTOR  NTUD3170NZT5G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963TSOP-6 N-CH 20V 6.7A 27mΩ

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 TSOP-6

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.021 Ω 0.75 Ω 27 mΩ

极性 N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 1.6 W 125 mW 2 W

阈值电压 800 mV 1 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.2A 280 mA 6.7A

上升时间 6 ns 25.5 ns -

输入电容(Ciss) 895pF @10V(Vds) 12.5pF @15V(Vds) 860pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 125 mW -

下降时间 6 ns 80 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 0.2 W 2000 mW

输入电容 - 12.5 pF -

长度 3 mm 1.05 mm -

宽度 1.7 mm 0.85 mm -

高度 1 mm 0.4 mm -

封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

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