对比图
型号 SI4164DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3 FDS6699S
描述 MOSFET, N-CH, VDS 30V; RDS(ON) 0.0026Ω; ID 30A; SO-8; PD 6W; VGS +/-20VMOSFET 30V 30A 6W 3.5mohm @ 10VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 21.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 0.0039 Ω - 3.6 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 6 W 3W (Ta), 6W (Tc) 2.5 mW
阈值电压 - - 1.4 V
输入电容 3545pF @15V - 3.61 nF
栅电荷 - - 65.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 21.0 A
上升时间 - - 12 ns
输入电容(Ciss) 3545pF @15V(Vds) 4355pF @15V(Vds) 3610pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 1 W
下降时间 - - 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 6W (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) 2.5W (Ta)
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.75 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99