对比图
型号 PEMD16 PEMD16,115 NSBC124EPDXV6T1G
描述 NPN / PNP电阻配备晶体管R1 = 22千瓦， R2 = 47千瓦 NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = 47 kWTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-666 T/R双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-666 SOT-666-6 SOT-563-6
耗散功率 - 0.3 W 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V
额定功率(Max) - 300 mW 500 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 500 mW
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
极性 NPN+PNP - NPN+PNP
集电极最大允许电流 100mA - 100mA
高度 - 0.6 mm -
封装 SOT-666 SOT-666-6 SOT-563-6
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99