对比图
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 650V 10A 3Pin(3+Tab) TO-247AE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole - -
封装 TO-247 TOP-3 -
极性 NPN NPN -
击穿电压(集电极-发射极) 800 V 800 V -
集电极最大允许电流 12A 12A -
封装 TO-247 TOP-3 -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free