对比图
型号 IRFR2407 STD30NF06LT4 IRFR2407TRPBF
描述 N沟道,75V,42A,26mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V -
额定电流 42.0 A 35.0 A -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 70 W 110 W
产品系列 IRFR2407 - -
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 60.0 V -
连续漏极电流(Ids) 42.0 A 35.0 A 42A
上升时间 90.0 ns 105 ns 90 ns
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.0218 Ω
阈值电压 - 1.7 V 4 V
输入电容 - 1600 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输入电容(Ciss) - 1600pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 110 W
下降时间 - 25 ns 66 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 - - 110 W
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.2 mm 6.22 mm
高度 - 2.4 mm 2.39 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99