对比图
型号 NTA4153NT1 NTA4153NT1G FDY302NZ
描述 小信号MOSFET 20 V 915 mA时，单N通道带ESD保护， SC- 75和SC- 89 Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-523-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 mW 300 mW 0.625 W
阈值电压 - 760 mV 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 915 mA 915 mA 0.6A
上升时间 4.4 ns 4.4 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 110pF @16V(Vds) 110pF @16V(Vds) 60pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 446 mW
下降时间 4.4 ns 7.6 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625mW (Ta)
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -
额定电流 915 mA 915 mA -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 500 mΩ 0.127 Ω -
输入电容 110 pF 110 pF -
漏源击穿电压 20 V 26 V -
栅源击穿电压 ±6.00 V ±6.00 V -
通道数 1 - -
栅电荷 1.82 nC - -
长度 1.6 mm 1.65 mm 1.7 mm
宽度 0.8 mm 1.6 mm 0.98 mm
高度 0.75 mm 0.8 mm 0.78 mm
封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 NLR NLR -