对比图
型号 IRF6619TR1 IRF6619TR1PBF
描述 IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDSDirect-FET N-CH 20V 30A
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 5
封装 MT Direct-FET
额定功率 - 89 W
漏源极电阻 0.00165 Ω 0.00165 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.8 W 2.8 mW
阈值电压 2.45 V 1.55 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A
上升时间 71 ns 71 ns
输入电容(Ciss) 5040pF @10V(Vds) 5040pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W
下降时间 9.3 ns 9.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 2.8W (Ta), 89W (Tc)
额定电压(DC) 20.0 V -
额定电流 30.0 A -
产品系列 IRF6619 -
漏源击穿电压 20.0 V -
长度 - 6.35 mm
宽度 - 5.05 mm
高度 - 0.7 mm
封装 MT Direct-FET
材质 - Silicon
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -