对比图
型号 IRF7314PBF SI4943BDY-T1-E3 STS4DPF30L
描述 2个P沟道 20V 5.3A双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETSTMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 53 mΩ 19 mΩ 0.07 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -5.30 A -8.40 A 4.00 A
上升时间 40 ns 10 ns 35 ns
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W
下降时间 49 ns 60 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW
额定电压(DC) -20.0 V - -30.0 V
额定电流 -5.30 A - -4.00 A
产品系列 IRF7314 - -
漏源击穿电压 -20.0 V - 30 V
输入电容(Ciss) 780pF @15V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)
工作结温(Max) 150 ℃ - -
通道数 - - 2
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 1 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17