JAN2N3637和JANTX2N3637

对比图

型号 JAN2N3637 JANTX2N3637 JANTXV2N3637

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39-3 -

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-39 TO-39-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

军工级 - Yes -