APT26M100JCU2和APT26M100JCU3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT26M100JCU2 APT26M100JCU3

描述 ISOTOP ?升压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power moduleISOTOP®降压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw

引脚数 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227

耗散功率 543W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 1000 V -

上升时间 40 ns -

输入电容(Ciss) 7868pF @25V(Vds) -

下降时间 38 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 543W (Tc) 543000 mW

封装 SOT-227-4 SOT-227

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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