APT8020B2LLG和APT8024B2LLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8020B2LLG APT8024B2LLG APT8020B2LL

描述 T-MAX N-CH 800V 38AN沟道 800V 31ATrans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 38.0 A 31.0 A -

耗散功率 694 W 565W (Tc) -

输入电容 5.20 nF 4.67 nF -

栅电荷 195 nC 160 nC -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

连续漏极电流(Ids) 38.0 A 31.0 A -

上升时间 14 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 565 W -

下降时间 9 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 694W (Tc) 565W (Tc) -

极性 N-CH - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

长度 26.49 mm - -

宽度 20.5 mm - -

高度 5.21 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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