TP2540N3-G和VP0550N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TP2540N3-G VP0550N3-G TP2540N3-G-P002

描述 TO-92P-CH 400V 0.086ATO-92P-CH 500V 0.054ATrans MOSFET P-CH 400V 0.086A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 0.74 W 1 W 740mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 400 V

输入电容(Ciss) 125pF @25V(Vds) 70pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 740mW (Ta) 1W (Tc) 740mW (Ta)

额定功率 0.74 W 1 W -

极性 P-CH P-CH -

连续漏极电流(Ids) 0.086A 0.054A -

上升时间 10 ns 8 ns -

下降时间 13 ns 5 ns -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 125 Ω -

漏源击穿电压 - 500 V -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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