JAN2N5661和JANTX2N5661

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5661 JANTX2N5661 2N5661R1

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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