对比图
型号 BC858BMTF BC859BMTF BC858BWT1G
描述 PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3
频率 150 MHz 150 MHz 100 MHz
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.31 W 0.31 W 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 800 -
额定功率(Max) 310 mW 310 mW 150 mW
耗散功率(Max) 310 mW 310 mW 150 mW
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 220
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -50 ℃
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3
长度 2.9 mm - 2.2 mm
宽度 1.3 mm - 1.35 mm
高度 0.93 mm - 0.9 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99