对比图
型号 STN1NK60Z BSP126,115 BSP130,115
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsNXP BSP126,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 VNXP BSP130,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 250 mA - -
额定功率 3.3 W - -
通道数 1 - -
针脚数 4 3 3
漏源极电阻 15 Ω 2.8 Ω 6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 1.5 W 1.5 W
阈值电压 3.75 V 2 V 2 V
输入电容 94 pF - -
漏源极电压(Vds) 600 V 250 V 300 V
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 300 mA 375 mA 350 mA
上升时间 5 ns - -
输入电容(Ciss) 94pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.3 W 1.5 W 1.5 W
下降时间 28 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
长度 6.5 mm - 6.7 mm
宽度 3.5 mm - 3.7 mm
高度 1.8 mm - 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -