对比图
型号 BSS209PW SI1303DL-T1-E3 SI1303DL-T1-GE3
描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-TransistorMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.36Ω; ID -0.67A; SC-70 (SOT-323); PD 0.29WMOSFET P-CH 20V 670mA SOT323-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-323-3 SC-70-3 SC-70-3
引脚数 3 3 -
极性 - - P-Channel
耗散功率 520mW (Ta) 0.29 W 290mW (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) - - -720 mA
耗散功率(Max) 520mW (Ta) 290mW (Ta) 290mW (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -580 mA - -
上升时间 7 ns - -
输入电容(Ciss) 89.9pF @15V(Vds) - -
下降时间 4.6 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
漏源极电阻 - 0.7 Ω -
封装 SOT-323-3 SC-70-3 SC-70-3
长度 - 2.2 mm -
高度 - 1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -