对比图
型号 BQ4011YMA-70 M48Z35Y-70PC1 DS1230Y-70IND+
描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMSTMICROELECTRONICS M48Z35Y-70PC1 芯片, 非易失性存储器 10年内部电池供电 256KMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
供电电流 50 mA 50 mA -
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns
内存容量 256000 B 32000 B 32000 B
存取时间(Max) 70 ns 70 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
针脚数 - 28 28
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
长度 - 39.88 mm 39.37 mm
宽度 - 18.34 mm 18.8 mm
高度 - 8.89 mm 10.67 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -