对比图
型号 KST2907AMTF SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT3G
描述 ON Semiconductor KST2907AMTF , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz
针脚数 3 3 3
极性 - PNP PNP
耗散功率 350 mW 225 mW 0.35 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 50 50
最大电流放大倍数(hFE) - 300 300
额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 50 50 50
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW
长度 2.9 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 2.64 mm
高度 0.97 mm 1.11 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99