对比图
型号 CY7C1041CV33-10BAXA IS61LV25616AL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI
描述 SRAM（静态随机存取存储器）SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 3.135V 至 3.63V, Mini BGA, 48 引脚, 10 nsRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 48 48 48
封装 FBGA-48 BGA-48 BGA-48
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -
针脚数 - 48 48
位数 16 16 16
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
内存容量 - 500000 B -
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 3 V 3.135 V 2.4 V
供电电流 100 mA - 45 mA
时钟频率 1 MHz - -
封装 FBGA-48 BGA-48 BGA-48
长度 8.5 mm - 8.1 mm
宽度 7 mm - 6.1 mm
高度 0.21 mm - 0.9 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99