74HCT165N和CD74HCT165E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 74HCT165N CD74HCT165E 74HCT165D

描述 NXP  74HCT165N  移位寄存器, 并行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 4.5 V, 5.5 VTEXAS INSTRUMENTS  CD74HCT165E  移位寄存器, HCT系列, 并行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 4.5 V, 5.5 VNXP  74HCT165D  移位寄存器, HCT系列, 并行至串行, 1元件, SOIC, 16 引脚, 4.5 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)

分类 移位寄存器移位寄存器移位寄存器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 DIP DIP-16 SOIC

频率 48.0 MHz 18 MHz 48.0 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 6.00 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 6.00 V (max)

输出接口数 - 1 -

电路数 8 1 8

针脚数 16 16 16

位数 8 8 8

输入数 - 9 -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

逻辑门个数 1 - 1

数字逻辑电平 TTL - -

输入电容 3.50 pF - -

长度 19.5 mm 19.3 mm -

宽度 6.48 mm 6.35 mm -

高度 4.2 mm 4.57 mm -

封装 DIP DIP-16 SOIC

重量 - 0.015227096868 kg -

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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