对比图
型号 IXFN27N80Q STE26NA90 IXFN26N90
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 VN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Screw Screw
引脚数 4 - 3
封装 SOT-227-4 ISOTOP SOT-227-4
额定电压(DC) - 900 V 900 V
额定电流 - 26.0 A 26.0 A
针脚数 4 - 3
漏源极电阻 0.32 Ω - 300 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 520 W 450W (Tc) 600 W
阈值电压 4.5 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 27.0 A 26.0 A 26.0 A
上升时间 28 ns 52.0 ns 35 ns
隔离电压 2.50 kV - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W - 600 W
下降时间 13 ns - 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 450W (Tc) 600W (Tc)
封装 SOT-227-4 ISOTOP SOT-227-4
长度 38.2 mm - -
宽度 25.07 mm - -
高度 9.6 mm - -
重量 40.0 g - 44.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15