对比图
型号 FDD8882 ISL9N312AD3ST FDD6030L
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 55.0 A - -
漏源极电阻 11.5 Ω 20.0 mΩ 14.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 75.0 W 3.2 W
输入电容 1.26 nF - -
栅电荷 22.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 50.0 A 50.0 A
上升时间 82 ns - 7 ns
输入电容(Ciss) 1260pF @15V(Vds) - 1230pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 55 W - 1.5 W
下降时间 25 ns - 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 55W (Tc) - 3.2W (Ta), 56W (Tc)
通道数 - - 1
阈值电压 - - 1 V
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99