对比图
描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 4 4
封装 TO-33 TO-33
极性 NPN NPN
耗散功率 1 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) - 2000 @5A, 5V
额定功率(Max) - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW
封装 TO-33 TO-33
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Box
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99