对比图
型号 FQP30N06 STP16NF06L NTP18N06LG
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP16NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-22015A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 30.0 A 16.0 A 15.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.031 Ω 0.07 Ω 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 79 W 45 W 48.4 W
阈值电压 4 V 1 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 16.0 A 15.0 A
上升时间 85 ns 37 ns 121 ns
输入电容(Ciss) 945pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 79 W 45 W 48.4 W
下降时间 40 ns 12.5 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 45W (Tc) 48.4W (Tc)
额定功率 - 45 W -
通道数 - 1 1
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.28 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99