对比图
型号 IPB200N25N3G IPP200N25N3G FDA59N25
描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1 TO-3-3
安装方式 - Through Hole -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 300 W 300 W 392 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.049 Ω
阈值电压 - - 5 V
输入电容 - - 3090 pF
漏源极电压(Vds) - 250 V 250 V
上升时间 - - 480 ns
输入电容(Ciss) - 7100pF @100V(Vds) 4020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 392 W
下降时间 - - 170 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 392000 mW
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1 TO-3-3
长度 - - 16.2 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
香港进出口证 - NLR -