对比图
型号 BQ4010YMA-85N DS1225AB-85+ BQ4010YMA-85
描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-85+ 芯片, 存储器, NVRAM为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V
供电电流 50 mA - 50 mA
存取时间 85 ns 85 ns 85 ns
存取时间(Max) 85 ns - 85 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.5 V
针脚数 - 28 -
时钟频率 - 85.0 GHz -
内存容量 - 64000 B -
长度 - 39.37 mm 37.72 mm
宽度 - 18.29 mm 18.42 mm
高度 - 10.67 mm 9.4 mm
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99