ZTX951和ZTX951STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX951 ZTX951STZ MJE13005G

描述 DIODES INC.  ZTX951  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 120 MHz, 1.2 W, -4 A, 200 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3

频率 120 MHz - 4 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V 400 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A 4.00 A

极性 PNP, P-Channel PNP NPN

耗散功率 1.2 W 1.2 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 400 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V - 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 1.2 W - 2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW 75000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 1V -

针脚数 3 - -

增益频宽积 120 MHz - -

直流电流增益(hFE) 200 - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3

长度 4.77 mm 4.77 mm -

宽度 2.41 mm 2.41 mm -

高度 4.01 mm 4.01 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Box Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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