对比图
型号 IRFBG30PBF 2SK1119(F) STP5NK100Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETTOSHIBA 2SK1119(F) 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 125 W 100 W 125 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 5 Ω 3 Ω 3.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 100 W 125 W
阈值电压 4 V 3.5 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1 kV
连续漏极电流(Ids) 3.10 A 4.00 A 3.50 A
输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 100 W 125 W
耗散功率(Max) 125 W 100W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 3.10 A - 3.50 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 1.00 kV - 1.00 kV
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V
上升时间 25 ns - 7.7 ns
下降时间 20 ns - 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.41 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 9.01 mm - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99