IPD60R600CP和IPD60R600P6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD60R600CP IPD60R600P6 IPD60R600P6BTMA1

描述 INFINEON  IPD60R600CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPD60R600P6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IPD60R600P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 63 W 63 W

阈值电压 3 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.10 A 7.3A 7.3A

上升时间 12 ns 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 550pF @100V(Vds) 557pF @100V(Vds) 557pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 63 W -

下降时间 17 ns 14 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 63W (Tc) 63 W

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.41 mm 2.41 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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