ZXMN6A11DN8TA和ZXMN6A11DN8TC

对比图

型号 ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TC IRF7103IPBF

描述 ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOICTrans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

耗散功率 2.1 W 1.25 W 2 W

产品系列 - - IRF7103I

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 2.70 A 2.70 A -

漏源极电阻 0.18 Ω 180 mΩ -

极性 Dual N-Channel N-Channel -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 3.20 A -

上升时间 3.5 ns 3.50 ns -

输入电容(Ciss) 330pF @40V(Vds) 330pF @40V(Vds) -

额定功率(Max) 1.25 W 1.8 W -

针脚数 8 - -

阈值电压 1 V - -

下降时间 4.6 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -