FGA15N120ANTDTU和FGA15N120ANTDTU_F109

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGA15N120ANTDTU FGA15N120ANTDTU_F109 IGW15T120

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P RailFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGA15N120ANTDTU_F109  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚INFINEON  IGW15T120  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.2 V, 110 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 186000 mW 186 W 110 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 1200 V

反向恢复时间 330 ns 330 ns -

额定功率(Max) 186 W 186 W 110 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 186000 mW 186000 mW -

额定电压(DC) 1.20 kV - -

额定电流 15.0 A - -

漏源击穿电压 1.20 kV - -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A - -

额定功率 - - 110 W

长度 - 15.8 mm 16.03 mm

宽度 - 5 mm 5.16 mm

高度 19.9 mm 18.9 mm 21.1 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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