对比图
型号 IPP042N03LGXKSA1 IPP04N03LB G FDP8870
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03LGXKSA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装MOSFET N-CH 30V 80A TO-220FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8870. 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 80.0 A 160 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0035 Ω - 0.0034 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 79 W 107W (Tc) 160 W
阈值电压 1 V - 2.5 V
输入电容 - 5.20 nF 5.20 nF
栅电荷 - 40.0 nC 106 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 70A 80.0 A 156 A
上升时间 5.6 ns - 105 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @15V(Vds) 5203pF @15V(Vds) 5200pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 79 W - 160 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 107W (Tc) 160W (Tc)
额定功率 79 W - -
通道数 1 - -
下降时间 4.4 ns - -
长度 10 mm - 10.67 mm
宽度 4.4 mm - 4.83 mm
高度 15.65 mm - 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99