JANTX2N3762L和JANTXV2N3762L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3762L JANTXV2N3762L 2N3762

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-5 TO-5-3 TO-39

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 -

最大电流放大倍数(hFE) - 120 -

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

封装 TO-5 TO-5-3 TO-39

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

材质 - - Silicon

RoHS标准 - - Non-Compliant

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