TLC271CDR和TS922IN

对比图

型号 TLC271CDR TS922IN TLC271ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器STMICROELECTRONICS  TS922IN  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC271ID  运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 16V 2.7V ~ 12V 3V ~ 16V

输出电流 - - ≤30 mA

供电电流 950 µA 2 mA 950 µA

电路数 1 2 1

通道数 1 2 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 65 dB 60 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K - 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 4 MHz 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs 1.30 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 4 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 3 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 15 nA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 2.7V ~ 12V 4V ~ 16V

电源电压(DC) - 3.00 V -

长度 4.9 mm 9.27 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 6.35 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 3.3 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -