2N4399和JANTX2N4399

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4399 JANTX2N4399

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR每PNP大功率硅晶体管合格MIL -PRF-四百三十三分之一万九千五 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/433

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-3 TO-3

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW

极性 - PNP

耗散功率 - 5 W

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V

集电极最大允许电流 - 30A

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @15A, 2V

额定功率(Max) - 5 W

针脚数 - -

直流电流增益(hFE) - -

封装 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99

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