对比图
型号 IRF7379 RF737 IRF7379TRPBF
描述 SOIC N+P 30V 5.8A/4.3APower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
封装 SOIC-8 - SOIC-8
引脚数 - - 8
极性 N+P - N-Channel, P-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.8A/4.3A - 5.8A/4.3A
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) - 520pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
额定功率 - - 2.5 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.038 Ω
耗散功率 - - 2.5 W
阈值电压 - - 1 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2500 mW
封装 SOIC-8 - SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free