对比图
型号 FQB34N20LTM PSMN070-200B,118 STB30NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 VMOSFET N-CH 200V 35A SOT404STMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 2 - 2
耗散功率 180 W 250 W 125 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 520 ns 100 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 4570pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 250 W 125 W
下降时间 370 ns 90 ns 8.8 ns
耗散功率(Max) 3.13 W 250W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 2 - 2
漏源极电阻 75 mΩ - 0.065 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 2 V - 3 V
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 31.0 A - -
输入电容 3.90 nF - -
栅电荷 72.0 nC - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 31.0 A - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm - 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -