对比图
型号 FQB5N50CTM STD18N55M5 IRF830STRLPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB5N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道 500V 4.5A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 5.00 A - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.14 Ω 0.18 Ω 1.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 73 W 90 W 3.1 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 550 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 16A 4.50 A
上升时间 46 ns 9.5 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 610pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 73 W 90 W -
下降时间 48 ns 13 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 73 W 110W (Tc) 3100 mW
长度 10.67 mm 6.6 mm -
宽度 9.65 mm 6.2 mm -
高度 4.83 mm 2.4 mm -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2000
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -