6116LA25SOG和DS2016R-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA25SOG DS2016R-100+ IDT6116SA25SO

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOICCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Maxim Integrated (美信) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 24 -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 25 ns 100 ns -

内存容量 - 16000 B -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

长度 15.4 mm - -

宽度 7.6 mm - -

高度 2.34 mm - -

厚度 2.34 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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