对比图
型号 JANTX2N5416S JANTXV2N5416 2N5416
描述 PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS 2N5416 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 10 W, -1 A, 30 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-5-3 TO-39
耗散功率 0.75 W 0.75 W 10 W
击穿电压(集电极-发射极) 300 V - 300 V
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V - 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) 750 mW - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 1000 mW
频率 - - 50 MHz
额定电压(DC) - - -350 V
额定电流 - - -1.00 A
额定功率 - - 10 W
针脚数 - - 3
极性 - - PNP, P-Channel
直流电流增益(hFE) - - 30
封装 TO-39 TO-5-3 TO-39
宽度 - - 9.4 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -