FDB7030BL和FDB7030BL_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB7030BL FDB7030BL_NL IRF3707ZSPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETINFINEON  IRF3707ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 60.0 A - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.009 Ω - 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 65 W - 57 W

阈值电压 1.9 V - 1.8 V

输入电容 1.76 nF - -

栅电荷 17.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60A 59A

上升时间 12 ns - 41 ns

输入电容(Ciss) 1760pF @15V(Vds) - 1210pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 60 W - -

下降时间 19 ns - 3.6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) - 57W (Tc)

额定功率 - - 57 W

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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