对比图
描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR MJF45H11G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 36 W, -10 A, 40 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V
额定电流 -10.0 A 41.0 A
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 36 W 36 W
增益频宽积 40 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
额定功率(Max) 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW
频率 - 40 MHz
针脚数 - 3
热阻 - 3.5℃/W (RθJC)
直流电流增益(hFE) - 40
长度 10.63 mm 10.63 mm
宽度 4.9 mm 4.9 mm
高度 9.24 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99