对比图
型号 CSD17577Q3AT IRFHM8326TRPBF CSD17577Q3A
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 VINFINEON IRFHM8326TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.7 V 新N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 PowerTDFN-8 VSONP-8
额定功率 - 2.8 W -
通道数 1 1 1
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.004 Ω 0.0038 Ω 5.3 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 53 W 2.8 W 2.5 W
阈值电压 1.4 V 1.7 V 1.1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A 19A
上升时间 31 ns 35 ns 31 ns
输入电容(Ciss) 1780pF @15V(Vds) 2496pF @10V(Vds) 2310pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.8 W -
下降时间 4 ns 12 ns 4 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 2.8W (Ta), 53W (Tc)
漏源击穿电压 - - 30 V
宽度 3.5 mm 3.3 mm 3 mm
封装 VSONP-8 PowerTDFN-8 VSONP-8
长度 3.5 mm - 3.15 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -